TH58BYG2S3HBAI6 集成电路（IC）存储器 Toshiba Memory America, Inc.

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1+	面议

厂家型号：
TH58BYG2S3HBAI6
产品分类：
集成电路（IC） > 存储器
生产厂商：
Toshiba Memory America, Inc.
库存数量：
10000
产品封装：
67-VFBGA (6.5x8)
生产批号：
22+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-6-18 10:00:00

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详细信息
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原厂料号：TH58BYG2S3HBAI6品牌：Toshiba Memory America, Inc.

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TH58BYG2S3HBAI6是集成电路（IC） > 存储器。制造商Toshiba Memory America, Inc./Kioxia America, Inc.生产封装67-VFBGA (6.5x8)/67-VFBGA的TH58BYG2S3HBAI6存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

芯片型号：
TH58BYG2S3HBAI6
规格书：
下载下载2
企业简称：
TOSHIBA【东芝】详情
厂商全称：
Toshiba Semiconductor
中文名称：
株式会社東芝
内容页数：
2 页
文件大小：
868 kb
资料说明：
SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

产品属性

类型
描述
产品编号：
TH58BYG2S3HBAI6
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Benand™
包装：
散装
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
4Gb（512M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
67-VFBGA
供应商器件封装：
67-VFBGA（6.5x8）
描述：
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

供应商

企业：
深圳市球芯贸易有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
庄先生
手机：
15915481688
询价：
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区中航路8号新亚洲电子商城6层6C003

TH58BYG2S3HBAI6 集成电路（IC）存储器 Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI6

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