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TH430中文资料射频(RF)双极晶体管 RF Transistor数据手册ASI Semiconductor规格书

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厂商型号

TH430

功能描述

射频(RF)双极晶体管 RF Transistor

制造商

ASI Semiconductor ASI Semiconductor, Inc.

数据手册

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更新时间

2026-3-16 13:30:00

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技术参数

  • 型号:

    TH430

  • 功能描述:

    射频双极电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作频率:

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    4 V

  • 集电极连续电流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封装/箱体:

    Case 211-11

  • 封装:

    Tray

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