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TGI7785-130LHA	文件：350.02 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER GaN HEMT FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDHEMT ･HIGHPOWER Pout=51.0dBmatPin=44dBm ･HIGHGAIN GL=11.5dBatPin=20dBm ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=44dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TGI7785-130LHA

文件：350.02 Kbytes

Page：6 Pages

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDHEMT ･HIGHPOWER Pout=51.0dBmatPin=44dBm ･HIGHGAIN GL=11.5dBatPin=20dBm ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=44dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多TGI7785-130LHA供应商更新时间2025-5-17 15:24:00

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