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TGI7785-130LHA

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 51.0dBm at Pin= 44dBm ・HIGH GAIN GL= 11.5dB at Pin= 20dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 44dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:350.02 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

TGL2208-SM

TRIQUENT
原厂封装

TRIQUENT

TGL41-51A

VISHAY/威世
原厂封装

VISHAY/威世

TGS2600

FIGARO
DIP

TGS2611-C00

FIGARO
DIP

FIGARO

费加罗

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA
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HALO
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SOP
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更多TGI7785-130LHA供应商 更新时间2025-10-5 11:10:00