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TGI7785-120L

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 51.0dBm at Pin= 44.0dBm ・HIGH GAIN GL= 11.0dB at Pin= 20.0dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.)= -25dBc at Pout= 44.0dBm Single Carrier Level ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:629.35 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

TGL2208-SM

TRIQUENT
原厂封装

TRIQUENT

TGL41-51A

VISHAY/威世
原厂封装

VISHAY/威世

TGS2600

FIGARO
DIP

TGS2611-C00

FIGARO
DIP

FIGARO

费加罗

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    TGI7785-120L

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANSISTOR GAN HEMT INTERNALLY MATCHED, 8.5 GHZ, 50W, PD 140 - Trays

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TGI7785-120L供应商 更新时间2025-10-4 8:02:00