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TGI7179-60LHA

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 48dBm at Pin= 40.5dBm ・HIGH GAIN GL= 12.0dB at Pin= 20dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:350.31 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

TIM7179-60SL

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

文件:160.67 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

TGL2208-SM

原厂封装

TRIQUENT

TGL41-51A

原厂封装

VISHAY/威世

TGS2600

DIP

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更多TGI7179-60LHA供应商 更新时间2025-10-15 8:02:00