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TGI5964-120L

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 51.0dBm at Pin= 43dBm ・HIGH GAIN GL= 13.5dB at Pin= 20dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 44dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:381.61 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

TGL2208-SM

TRIQUENT
原厂封装

TRIQUENT

TGL41-51A

VISHAY/威世
原厂封装

VISHAY/威世

TGS2600

FIGARO
DIP

TGS2611-C00

FIGARO
DIP

FIGARO

费加罗

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    TGI5964-120L

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANSISTOR GAN HEMT INTERNALLY MATCHED, 6.4 GHZ, 120W - Trays

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
24+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
询价
TOSHIBA/东芝
23+
N/A
7560
原厂原装
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TOSHIBA
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标准封装
50
进口原装,订货渠道!
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原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
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TOSHIBA/东芝
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原装正品
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NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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原厂原装
4595
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24+
7
自己现货
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更多TGI5964-120L供应商 更新时间2025-10-13 16:31:00