MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ･HIGH POWER Pout= 51.0dBm at Pin= 42.0dBm ･HIGH GAIN GL= 13.5dB at Pin= 20.0dBm ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.)= -25dBc at Pout= 44.0dBm Single Carrier Level ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件：472 Kbytes 页数：7 Pages

TOSHIBA

东芝

原厂封装

TRIQUENT

上传：深圳市朱博士电子科技有限公司

原厂封装

VISHAY/威世

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DIP

FIGARO

费加罗

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DIP

FIGARO

费加罗

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