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TGI1314-50LA

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 47.0dBm at Pin= 42.0dBm ・HIGH GAIN GL= 8.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.)= -25dBc at Pout= 40.0dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:350.85 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

TGI1314-50L

MICROWAVE POWER GaN HEMT

文件:118.21 Kbytes 页数:2 Pages

TOSHIBA

东芝

TGL2208-SM

TRIQUENT
原厂封装

TRIQUENT

TGL41-51A

VISHAY/威世
原厂封装

VISHAY/威世

TGS2600

FIGARO
DIP

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更多TGI1314-50LA供应商 更新时间2025-10-13 16:32:00