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TGF4350-EPU

300um Discrete pHEMT

Key Features and Performance • 0.25um pHEMT Technology • DC 22 GHz Frequency Range • 1.2 dB NF, 14.5 dB Associated Gain at 10 GHz, 3V Operation • Floating Source Configuration • Chip Dimensions 0.620 mm x 0.514 mm Primary Applications • Low Noise amplifiers

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TRIQUINT

TGF4350-EPU

300um Discrete pHEMT

Qorvo

威讯联合

TISP4350MMAJR

BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS

文件:438.69 Kbytes 页数:20 Pages

BOURNS

伯恩斯

TISP4350MMAJR-S

BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS

文件:438.69 Kbytes 页数:20 Pages

BOURNS

伯恩斯

TISP4350MMBJR

BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS

文件:438.69 Kbytes 页数:20 Pages

BOURNS

伯恩斯

详细参数

  • 型号:

    TGF4350-EPU

  • 制造商:

    TRIQUINT

  • 制造商全称:

    TriQuint Semiconductor

  • 功能描述:

    300um Discrete pHEMT

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更多TGF4350-EPU供应商 更新时间2026-2-8 15:01:00