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TGF3020-SMEVB01

4 – 6 GHz, 32 V, 5 W GaN RF Input-Matched Transistor

KeyFeatures Frequency:4to6GHz OutputPower(P3dB)1:6.8W LinearGain1:13dB TypicalPAE3dB 1:60 OperatingVoltage:32V CWandPulsecapable

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

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更多TGF3020-SMEVB01供应商 更新时间2025-7-22 13:52:00