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TGF3020-SMEVB01

4 – 6 GHz, 32 V, 5 W GaN RF Input-Matched Transistor

Key Features  Frequency: 4 to 6 GHz  Output Power (P3dB)1: 6.8 W  Linear Gain1: 13 dB  Typical PAE3dB 1: 60  Operating Voltage: 32 V  CW and Pulse capable

文件:2.13174 Mbytes 页数:19 Pages

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上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

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更多TGF3020-SMEVB01供应商 更新时间2025-10-12 13:52:00