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TGF2819-FLPCB4B01	文件：2.35758 Mbytes Page：19 Pages	DC – 4 GHz, 50 V, 200 W GaN RF Transistor KeyFeatures Frequency:DCto4GHz OutputPower(P3dB)1:257W LinearGain1:18dB TypicalPAE3dB 1:67.5 OperatingVoltage:50V CWandPulsecapable Note1:@3GHzLoadPull	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO

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TGF2819-FLPCB4B01

文件：2.35758 Mbytes

Page：19 Pages

DC – 4 GHz, 50 V, 200 W GaN RF Transistor

KeyFeatures Frequency:DCto4GHz OutputPower(P3dB)1:257W LinearGain1:18dB TypicalPAE3dB 1:67.5 OperatingVoltage:50V CWandPulsecapable Note1:@3GHzLoadPull

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

QORVO

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更多TGF2819-FLPCB4B01供应商更新时间2025-7-13 9:26:00

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