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TGBLP2202DF2数据手册Galaxy中文资料规格书

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厂商型号

TGBLP2202DF2

功能描述

-20V, Dual P Channel MOSFETs

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-7 11:02:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :TGBLP2202DF2

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :YES

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Configuration

    :Dual

  • Channel Polarity

    :P

  • ESD

    :/

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • PD(W)Max.

    :1.78

  • V(BR)DSS(V)Min.

    :-20

  • VGS(V)Max.

    :±12

  • ID(A)Max.

    :-10

  • IGSS(uA)Max.

    :±0.1

  • VGS(th)(V)Max.

    :-0.9

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.

    :50

  • RDS(on)(mΩ)@2.5VMax.

    :70

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :双MOSFETs

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