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TGS2602	文件：367.88 Kbytes Page：2 Pages	AirContaminants	FIGAROFIGARO ENGINEERING INC 费加罗	FIGARO
UES2602	文件：130.3 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UES2602	文件：131.63 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERSHighEfficiency,30ACenter-Tap	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
USB2602	文件：272.84 Kbytes Page：30 Pages	4thGenerationUSB2.0FlashMediaControllerwithIntegratedCardPowerFETs&HSHub	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
USB2602	文件：710.12 Kbytes Page：26 Pages	4THGENERATIONUSB2.0FLASHMEDIACONTROLLERWITHINTEGRATEDCARDPOWERFETSANDHSHUB	SMSC SMSC	SMSC
USB2602	文件：430.24 Kbytes Page：26 Pages	4thGenerationUSB2.0FlashMediaControllerwithIntegratedCardPowerFETsandHSHub	SMSC SMSC	SMSC
USB2602-NE-XX	文件：430.24 Kbytes Page：26 Pages	4thGenerationUSB2.0FlashMediaControllerwithIntegratedCardPowerFETsandHSHub	SMSC SMSC	SMSC
USB2602-NU-XX	文件：430.24 Kbytes Page：26 Pages	4thGenerationUSB2.0FlashMediaControllerwithIntegratedCardPowerFETsandHSHub	SMSC SMSC	SMSC
VEC2602	文件：69.86 Kbytes Page：6 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
WTL2602	文件：483.07 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
WTL2602	文件：481.53 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TGA2602-SM-T/R
功能描述：
射频放大器 High IP3 Dual FET
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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