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TIP120	文件：616.93 Kbytes Page：13 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP120	文件：114.79 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP120	文件：768.39 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPNSiliconPowerTransistor FEATURES: MediumPowerComplementarysilicontransistors TIP120,121,122DarlingtonTRANSISTOR(NPN) *TIP125,126,127DarlingtonTRANSISTOR(PNP)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
TIP120	文件：526.69 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialDarlingtonTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP120	文件：311.26 Kbytes Page：4 Pages	TO-220DARLINGTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
TIP120	文件：810.29 Kbytes Page：5 Pages	BASENPN/PNP EPITAXIALBASENPN/PNP POWERDARLINGTONS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
TIP120	文件：185.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP125/126/127 APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP120	文件：28.13 Kbytes Page：2 Pages	PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications TIP120,121,122NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS TIP125,126,127PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP120	文件：49.35 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors Collectorcurrent–Kollektorstrom5A PlasticcaseTO-220AB Weightapprox.–Gewichtca.2.2g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
TIP120	文件：80.3 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS HighPowerSwitching,HammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadDriveApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

详细参数

型号：
TFMBJ120C
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% bi-dir
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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