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TIG110GMH	文件：484.96 Kbytes Page：5 Pages	HighPowerHighSpeedSwitchingApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
TIP110	文件：153.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP110	文件：72.23 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP110	文件：101.68 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP115,TIP116andTIP117 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP110	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP110	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON2AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP110	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP110	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP110	文件：72.48 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
TIP110	文件：194.09 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonPowerTransistors(NPN) DarlingtonPowerTransistors(NPN) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeed switchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON

详细参数

型号：
TFMAJ110C-W
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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更多TFMAJ110C-W供应商更新时间2025-6-1 15:14:00

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