P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The TFD230P03M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = -30V , ID = -9A RDSON(typ) = 25mΩ @ VGS=-10V RDSON(typ) = 35mΩ @VGS=-4.5V ● High Power and current handi

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TUOFENG

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