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TF262TH数据手册分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF

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厂商型号

TF262TH

参数属性

TF262TH 封装/外壳为3-SMD,扁平引线;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:JFET N-CH 1MA 100MW

功能描述

N 沟道 JFET,-20V,140 - 350μA,0.95mS
JFET N-CH 1MA 100MW

封装外壳

3-SMD,扁平引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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TF262TH规格书详情

描述 Description

TF262TH 是一款 N 沟道 JFET,-20V,140 - 350μA,0.95mS。

特性 Features

• Low output noise voltage : VNO= -112dB (typ) [VCC=2V, RL=2.2kΩ, Cin=5pF]
• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products :1.4mm x 1.2mm x 0.34mm
• Especially suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones
• Adoption of FBET process
• Halogen Free compliance

简介

TF262TH属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的TF262TH晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    TF262TH-5-TL-H

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - JFET

  • 包装:

    管件

  • FET 类型:

    N 通道

  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):

    3.5pF @ 2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    VTFP

  • 描述:

    JFET N-CH 1MA 100MW

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