TF262TH中文资料N 沟道 JFET，-20V，140 - 350μA，0.95mS数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

TF262TH 是一款 N 沟道 JFET，-20V，140 - 350μA，0.95mS。

特性 Features

• Low output noise voltage : VNO= -112dB (typ) [VCC=2V, RL=2.2kΩ, Cin=5pF]
• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products :1.4mm x 1.2mm x 0.34mm
• Especially suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones
• Adoption of FBET process
• Halogen Free compliance

简介

TF262TH属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由ONSEMI制造生产的TF262TH晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。