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UM2110B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM2110C	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UN2110	文件：235.97 Kbytes Page：17 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Minitypepackageallowingeasyautomaticinsertionthroughtape packingandmagazinepacking	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR2110	文件：443.54 Kbytes Page：17 Pages	SiliconPNPepitaxialplanartype SiliconPNPepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Minitypepackageallowingeasyautomaticinsertionthroughtape packingandmagazinepacking	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UPG2110TB	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2110TB	文件：149.27 Kbytes Page：3 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION NECsUPG2110TBisaGaAsMMICforPAdriveramplifierswithvariablegainfunctionswhichwasdevelopedforL-bandapplications.Thedevicecanoperatewith3.0V,havinghighgainandlowdistortion. FEATURES •LOWVOLTAGEOPERATION:VDD1=VDD2=3.0V, fRF=1850to1910MHz	CEL California Eastern Labs	CEL
UTCM2110	文件：93.83 Kbytes Page：3 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
V2110B	文件：46.53 Kbytes Page：1 Pages	Finger-shapedheatsinkTO-126	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
VDA2110CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA2110NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

详细参数

型号：
TF2110
功能描述：
High-Side/Low-Side Gate
Drivers这是一款升压IC，可以替代IR的IR2110和IR2113Vin=2.5--6v.Vout有28v和43v等规格。如有需求可以联系我：QQ1583518250TELL：
25880201-808

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鼎欣微电子有限公司	TF2110	TF	24+	SOP16	23000	只做正品原装现货	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	TF2110-THE	TF	23+	SOP16	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	TF2110-TEH	TFSS(德律风根)	2021+	SOIC-16W	999		询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	TF2110-TEU	DIODES/美台	23+	SOP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多TF2110供应商更新时间2025-7-23 9:03:00

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