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TF160P02L

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TF160P02L combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package toprovideextremely low RDS(ON). ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resi

文件:2.36008 Mbytes 页数:5 Pages

TUOFENG

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更多TF160P02L供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00