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TEC8013	文件：80.59 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER APPLICATIONS, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. SWITCHING APPLICATIONS. FEATURES . Excellent hpg Linearity : hFE (2)=23(Min.) at VcE=lV, I c=400mA . 1 Watt Amplifier Applications . Complementary to TEC8012 文件：80.59 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8013-H	文件：208.73 Kbytes Page：7 Pages	High-Efficiency DC/DC Converter Applications Notebook PC Applications Portable-Equipment Applications 文件：208.73 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8013-H	文件：196.12 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOS III) 文件：196.12 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8013-H	文件：1.84838 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.84838 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

晶体管资料

型号：
TEC8013
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC337,2N4400,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.625

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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