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TE28F640J3D75B

Parallel NOR Flash

Micron

美光

TE28F640J3D75B TR

Package:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

TE28F640J3D75

Numonyx??Embedded Flash Memory (J3 v. D)

文件:916.16 Kbytes 页数:68 Pages

Intel

英特尔

TE28F640P30B85

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

TE860M-A2

核心板

英伟达

详细参数

  • 型号:

    TE28F640J3D75B

  • 功能描述:

    IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    StrataFlash™

  • 产品变化通告:

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 标准包装:

    136

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    RAM

  • 存储器类型:

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存储容量:

    18M(1M x 18)

  • 速度:

    200MHz

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商设备封装:

    165-CABGA(13x15)

  • 包装:

    托盘

  • 其它名称:

    71P71804S200BQ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Micron Technology Inc.
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56-TSOP(14x20)
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更多TE28F640J3D75B供应商 更新时间2025-12-11 14:34:00