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TE28F640J3D75中文资料Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 v. D)数据手册Intel规格书

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厂商型号

TE28F640J3D75

参数属性

TE28F640J3D75 封装/外壳为56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP

功能描述

Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 v. D)

封装外壳

56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

制造商

Intel Intel Corporation

中文名称

英特尔

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    TE28F640J3D75B TR

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    StrataFlash™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    64Mb(8M x 8,4M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    75ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    56-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP

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