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TE28F128J3D75A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Parallel NOR Flash	Micron 美光	Micron
TE28F128J3D75B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Parallel NOR Flash	Micron 美光	Micron
TE28F128J3D75A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.
TE28F128J3D75B TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.

详细参数

型号：
TE28F128J3D75
功能描述：
IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
StrataFlash™
产品变化通告：
Product Discontinuation 26/Apr/2010
标准包装：
136
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
18M（1M x 18）
速度：
200MHz
接口：
并联
电源电压：
1.7 V ~ 1.9 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
165-TBGA
供应商设备封装：
165-CABGA（13x15）
包装：
托盘
其它名称：
71P71804S200BQ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	TE28F128J3D75B	Micron	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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更多TE28F128J3D75供应商更新时间2026-1-26 15:00:00

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