TDTA123J中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
TDTA123J |
| 参数属性 | TDTA123J 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置；产品描述：PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN |
| 功能描述 | Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
| 文件大小 |
229.35 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社東芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-16 15:18:00 |
TDTA123J规格书详情
1. Applications
• Switching
• Inverter Circuits
• Driver Circuits
2. Features
(1) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce
system size and assembly time.
(2) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.
(3) Complementary to TDTC123J
产品属性
- 产品编号：
TDTA123J,LM
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA-东芝 |
24+25+/26+27+ |
SOT-23-3 |
36218 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
Toshiba Semiconductor and Stor |
24+ |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 | ||
SAMSUNG |
60425 |
257 |
优势货源原装正品 |
询价 | |||
Toshiba |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT23 |
9890 |
原装原盒标现货可开发票 |
询价 | ||
110 |
本站现库存 |
询价 | |||||
ROHM |
23+ |
原厂封装 |
12335 |
询价 | |||
SAMSUNG/三星 |
2046+ |
9852 |
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SAMSUNG |
2023+ |
80000 |
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SAMSUNG/三星 |
23+ |
NA |
30000 |
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询价 |
