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TDTA114EE	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V,50mA,PNP Bipolar Digital Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
TDTA114EEG	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V,50mA,PNP Bipolar Digital Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
TDTA114Y	文件：229.41 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type 1. Applications • Switching • Inverter Circuits • Driver Circuits 2. Features (1) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce system size and assembly time. (2) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accom 文件：229.41 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TDTC114E	文件：226.09 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type 1. Applications • Switching • Inverter Circuits • Driver Circuits 2. Features (1) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce system size and assembly time. (2) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accom 文件：226.09 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TDTC114E	文件：1.72554 Mbytes Page：7 Pages	Digital Transistor Features  Epitaxial planar die construction  Built -in biasing resistors ( R1: 10 kΩ, R2: 10 kΩ)  Also available in lead free version  RoHS compliant with Halogen-free  Qualified to AEC-Q101 Standards 文件：1.72554 Mbytes 页数：7 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

技术参数

AEC Qualified：
YES
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
PNP
V(BR)CEO(V)min.：
-50
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ICContinuous(mA)：
-50
Gi：
30
VO(ON)(V)：
-0.3
fTMHz：
250(typ)
R1 (kΩ)：
10
R2 (kΩ)：
10
R1/R2 typ：
1
Vi(off)(V)max.：
-0.5
Vi(on)(V)min.：
-3
PD(mW)：
150
ECCN(US)：
EAR99
Category：
数字晶体管

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