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IRHM8360	文件：332.73 Kbytes Page：12 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED 400Volt,0.22Ω,MEGARADHARDHEXFET InternationalRectifier’sRADHARDtechnologyHEXFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiaitiondosesashighas1x106Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-irradiationtestconditions,Internationa	IRF International Rectifier	IRF
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