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TDA8179FS	文件：177.61 Kbytes Page：5 Pages	TV VERTICAL DEFLECTION BOOSTER ■POWERAMPLIFIER ■FLYBACKSUPPLYVOLTAGESEPARATED ■THERMALPROTECTION DESCRIPTION DesignedformonitorsandhighperformanceTVs, theTDA8179FSverticaldeflectionboosterisable toworkwithaflybackvoltagemorethanthedouble ofVs. TheTDA8179FSoperateswithsuppliesupto42	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TDA8179S	文件：82.98 Kbytes Page：6 Pages	TVVERTICALDEFLECTIONBOOSTER DESCRIPTION DesignedformonitorsandhighperformanceTVs,theTDA8179Sverticaldeflectionboosterdeliversflybackvoltagesupto90V. TheTDA8179Soperateswithsuppliesupto42Vandprovidesupto2Appoutputcurrenttodrivetoyoke. TheTDA8179SisofferedinHEPTAWATTpackage. ■POWER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPC8179	文件：154.32 Kbytes Page：7 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8179TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICcanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductorwhichcannotberealizedoninternal50ΩwidebandmatchedIC.Thislowcurrentamplifieroperateson3.0	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8179TB	文件：154.32 Kbytes Page：7 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8179TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICcanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductorwhichcannotberealizedoninternal50ΩwidebandmatchedIC.Thislowcurrentamplifieroperateson3.0	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8179TB	文件：151.22 Kbytes Page：28 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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UPC8179TB	文件：593.31 Kbytes Page：27 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8179TB	文件：319.53 Kbytes Page：30 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowcurrentconsumption:ICC=4.0mATYP.@VCC=3.0V •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Highefficiency:PO(1dB)=+3.0dBmTYP.@f=1.0GHz PO(1dB)=+1.5dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+1.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=13.5dBTYP.@f=1.0GH	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8179TK	文件：419.83 Kbytes Page：29 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowcurrentconsumption:ICC=4.0mATYP.@VCC=3.0V •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Excellentisolation:ISL=43.0dBTYP.@f=1.0GHz ISL=42.0dBTYP.@f=1.9GHz ISL=42.0dBTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=13.5dBTYP.@f=1.0GHz GP=15.5dBT	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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