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UPA1910	文件：230.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1910	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheµPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1910TE	文件：445.15 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1910TE	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheµPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1910TE	文件：230.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VDA1910CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA1910NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VHF-1910	文件：104.14 Kbytes Page：4 Pages	HighPassFilters850to7000MHz	MINI Mini-Circuits	MINI
VLL1910	文件：121.73 Kbytes Page：1 Pages	DiodeLimiter	CPICommunications & Power Industries, Inc. Cpi	CPI
W1910	文件：642.52 Kbytes Page：4 Pages	PentaBandStubbyAntenna	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

详细参数

型号：
TDA1910HS
功能描述：
音频放大器 10W AUDIO AMPLIFIER
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
General Purpose Audio Amplifiers
输出类型：
Digital
输出功率：
THD +
工作电源电压：
3.3 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TQFP-64
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	TDA1910HS	STMicroelectronics	18+	ICAMPAUD10WMULTIWATT11HO	6800	公司原装现货	询价
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