UltraCMOS® High-speed FET and GaN Transistor Driver, 20 MHz

Features •TID = 100 krad(Si)•SEL Immune•High- and Low-side FET drivers•Dead-time control•Fast propagation delay, 9 ns•Tri-state enable mode•Sub-nanosecond rise and fall time•2 A / 4 A peak source/sink current•Bumped flip chip die Applications •dc–dc conversions •ac–dc conversions •Orbital P

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TELEDYNE

华特力科

TQFP-64

恩XP

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QFP

PHI

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DIP16

ON/安森美

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DIP-18

恩XP

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