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TD352IDT	文件：179.09 Kbytes Page：13 Pages	Advanced IGBT/MOSFET Driver Description This device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems. The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and all 文件：179.09 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TD352IDT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TD352IN	文件：179.09 Kbytes Page：13 Pages	Advanced IGBT/MOSFET Driver Description This device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems. The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and all 文件：179.09 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TLC352	文件：140.77 Kbytes Page：9 Pages	LinCMOSE DUAL DIFFERENTIAL COMPARATOR 文件：140.77 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC352	文件：1.14868 Mbytes Page：18 Pages	LinCMOSE DUAL DIFFERENTIAL COMPARATOR 文件：1.14868 Mbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
TD352IDT
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
12V ~ 26V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，4.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.3A，1.7A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
100ns，100ns（最大）
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO

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