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TD352IDT	文件：179.09 Kbytes Page：13 Pages	Advanced IGBT/MOSFET Driver Description ThisdeviceisanadvancedgatedriverforIGBTsandpowerMOSFETs.Controlandprotectionfunctionsareincludedandallowthedesignofhighreliabilitysystems. TheinnovativeactiveMillerclampfunctioneliminatestheneedfornegativegatedriveinmostapplicationsandall	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TD352IDT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TD352IN	文件：179.09 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedIGBT/MOSFETDriver Description ThisdeviceisanadvancedgatedriverforIGBTsandpowerMOSFETs.Controlandprotectionfunctionsareincludedandallowthedesignofhighreliabilitysystems. TheinnovativeactiveMillerclampfunctioneliminatestheneedfornegativegatedriveinmostapplicationsandall	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TLC352	文件：1.14868 Mbytes Page：18 Pages	LinCMOSEDUALDIFFERENTIALCOMPARATOR	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLC352	文件：140.77 Kbytes Page：9 Pages	LinCMOSEDUALDIFFERENTIALCOMPARATOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLC352CD	文件：864.51 Kbytes Page：16 Pages	LinCMOSDUALDIFFERENTALCOMPARATOR	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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产品属性

产品编号：
TD352IDT
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
12V ~ 26V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，4.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.3A，1.7A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
100ns，100ns（最大）
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO

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