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HZ33C1	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
LWTN-33C1	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LWTN-33C1SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
SMCJ33C1T	文件：114.91 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountTRANSZORBTransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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