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TCTOP1A226M8R	文件：173.14 Kbytes Page：6 Pages	Conductive polymer chip tantalum capacitors ( Bottom surface electrode type ) 文件：173.14 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
TCTOP1A226M8R-ZM1	文件：300 bytes Page：1 Pages	导电性高分子电容器（背面电极：大容量） TCTO系列P外壳的阴极材料中使用了导电性高分子，可以显著降低ESR，并且采用背面电极结构，实现超大容量。小型、薄型和超大容量的TCTOP有助于设备的小型、薄型和高功能化。导电性高分子的特性之一是短路故障时确保高安全性。 •小型薄型\n•大容量\n•低ESR\n•难燃性;	ROHM 罗姆	ROHM
TCTP1A226M8R	文件：175.68 Kbytes Page：7 Pages	Chip tantalum capacitors(Bottom surface electrode type : Large capacitance) 文件：175.68 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
TCTP1A226M8R	文件：156.02 Kbytes Page：7 Pages	Chip tantalum capacitors (Bottom surface electrode type) 文件：156.02 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
TCTPL1A226M8R	文件：180.47 Kbytes Page：7 Pages	Chip Tantalum capacitors(Bottom surface electrode type : Large capacitance) 文件：180.47 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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深圳市正迈科技有限公司	TCTP0G107M8R4V/100UF	ROHM	23+	SMD被动器件正迈科技	800000	TCTP0G107M8R4V/100UF电容电感磁珠系列样品可出支持批	询价
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更多TCTOP1A226M8R供应商更新时间2025-10-6 15:05:00