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TCS800分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

TCS800
厂商型号

TCS800

参数属性

TCS800 封装/外壳为55SM;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SM

功能描述

800 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 MHz

封装外壳

55SM

文件大小

19.36 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 List of Unclassifed Manufacturers
企业简称

ETC

中文名称

未分类制造商

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-15 16:50:00

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TCS800规格书详情

[GHz-Technology]

GENERAL DESCRIPTION

The TCS800 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 1030 MHz, with the pulse width and duty required for TCAS applications. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.

产品属性

  • 产品编号:

    TCS800

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    65V

  • 频率 - 跃迁:

    1.03GHz

  • 增益:

    8dB ~ 9dB

  • 功率 - 最大值:

    1944W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50A

  • 工作温度:

    230°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    55SM

  • 供应商器件封装:

    55SM

  • 描述:

    RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SM

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