TCS1200分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
![TCS1200](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
TCS1200 |
参数属性 | TCS1200 封装/外壳为55TU-1;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 |
功能描述 | 1200 Watts, 53 Volts Pulsed Avionics at 1030 MHz |
文件大小 |
157.95 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Microsemi Corporation |
企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名称 | 美高森美公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-24 8:24:00 |
TCS1200规格书详情
TCS1200属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。美高森美公司制造生产的TCS1200晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
TCS1200
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
65V
- 频率 - 跃迁:
1.03GHz
- 增益:
10.2dBd
- 功率 - 最大值:
2095W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 1A,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
60A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
55TU-1
- 供应商器件封装:
55TU-1
- 描述:
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation |
2022+ |
55TU-1 |
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