TCS1200分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TCS1200 |
| 参数属性 | TCS1200 封装/外壳为55TU-1；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 |
| 功能描述 | 1200 Watts, 53 Volts Pulsed Avionics at 1030 MHz |
| 封装外壳 | 55TU-1 |
| 文件大小 |
157.95 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Microsemi |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 10:19:00 |
| 人工找货 | TCS1200价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TCS1200规格书详情
TCS1200属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的TCS1200晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
TCS1200
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
1.03GHz
- 增益：
10.2dBd
- 功率 - 最大值：
2095W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
60A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55TU-1
- 供应商器件封装：
55TU-1
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
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