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TCR3LM08A	文件：959.88 Kbytes Page：20 Pages	TOSHIBACMOSLinearIntegratedCircuitSiliconMonolithic Features UltrasmallpackageDFN4D(1.0mmx1.0mm;t0.37mm(typ.)). Lowquiescentcurrent(IB(ON)=1.2μA(typ.)atIOUT=0mA) HighRipplerejectionratio(74dB(typ.)at100Hz,0.8V-output) Fastloadtransientresponse(-70/+35mVat2.8V-output,IOUT=1mA⇔100mA) LowDropout	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TCR3LM08A

文件：959.88 Kbytes

Page：20 Pages

TOSHIBACMOSLinearIntegratedCircuitSiliconMonolithic

Features UltrasmallpackageDFN4D(1.0mmx1.0mm;t0.37mm(typ.)). Lowquiescentcurrent(IB(ON)=1.2μA(typ.)atIOUT=0mA) HighRipplerejectionratio(74dB(typ.)at100Hz,0.8V-output) Fastloadtransientresponse(-70/+35mVat2.8V-output,IOUT=1mA⇔100mA) LowDropout

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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