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TCR3DM18A中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

TCR3DM18A

功能描述

TOSHIBA CMOS Linear Integrated Circuit Silicon Monolithic

丝印标识

1P8

封装外壳

DFN4D

文件大小

749.18 Kbytes

页面数量

20

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-9 9:48:00

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TCR3DM18A规格书详情

特性 Features

Ultra small packag e DFN4D (1.0 mm x 1.0 mm; t 0.3 7 mm (typ.))

Wide range output voltage line up (V OUT = 1.0 to 4.5 V)

L ow dropout voltage

V

DO = 175 mV (typ.) at 3.3 V output, I OUT = 300 mA

V

DO = 21 6 mV (typ.) at 2.5 V output, I OUT = 300 mA

V

DO = 2 9 7 mV (typ.) at 1.8 V output, I OUT = 300 mA

Low output noise voltage (V NO = 38 μ V rms t yp.) at 10Hz ≤ f ≤ 100kHz)

High ripple rejection ratio (72 dB (typ.) at 2.5 V output, IOUT = 10 mA, f = 1 kHz)

Fast load transient response (±80 mV (typ.) at 2.5 V output, IOUT = 1 mA ⇔ 300 mA)

Overcurrent protection

Thermal shutdown

Inrush current protection circuit

Auto discharge

Pull down connection between CONTROL and GND

Ceramic capacitors can be used (C IN = 1 .0 μ F, C OUT = 1 .0 μ F)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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