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TMUX1108PWR

5V/(-)2.5V,Low-Leakage-Current,8:1PrecisionMultiplexer

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TMUX1108RSVR

5V/(-)2.5V,Low-Leakage-Current,8:1PrecisionMultiplexer

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TP1108

25to30WATTSINGLE,DUALandTRIPLEOUTPUTDC-DCCONVERTERS

[TOTALPOWERINTERNATIONAL.INC.]

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

TRF1108

TRF1108DCto12GHzBandwidth,DifferentialtoSingle-EndedRFAmplifier

1Features •Excellentdifferential-to-single-endedRF performance •Bandwidth(3dB):12GHz •Powergain:15.5dB •OP1dB: –2GHz:12dBm –6GHz:9.8dBm •OIP3: –2GHz:28dBm –6GHz:30dBm •Noisefigure(NF)andinputnoisespectraldensity: –2GHz:11dBand–163dBm/Hz –6GHz:11.4dBa

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TRF1108

TRF1108Near-DCto8GHz,DifferentialtoSingle-EndedRFAmplifier

1Features •Differential-to-single-ended(D2S)RFamplifier •Near-DCto8GHz •Gain:15.5dBat2GHz •OP1dB: –2GHz:12dBm –6GHz:10dBm •OIP3: –2GHz:28dBm –6GHz:28.5dBm •Noisefigure(NF)andinputnoisespectraldensity: –2GHz:11dBand–163dBm/Hz –6GHz:11.5dBand–162.5dB

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TRF1108RPVR

TRF1108Near-DCto8GHz,DifferentialtoSingle-EndedRFAmplifier

1Features •Differential-to-single-ended(D2S)RFamplifier •Near-DCto8GHz •Gain:15.5dBat2GHz •OP1dB: –2GHz:12dBm –6GHz:10dBm •OIP3: –2GHz:28dBm –6GHz:28.5dBm •Noisefigure(NF)andinputnoisespectraldensity: –2GHz:11dBand–163dBm/Hz –6GHz:11.5dBand–162.5dB

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TS1108

Portable/Battery-PoweredSystems

SILABS

Silicon Laboratories

TZ1108A

SMD5.0x3.221.1416MHzCrystalUnit

Features: SurfaceMountSeamWeldPackage ExcellentAging GoodFrequencyPerturbationandStabilityoverTemperature DescriptionandApplications: Surfacemount5.0mmx3.2mmcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices, especiallyforaneedofultraminiaturepackageformob

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

UC1108

LOW-POWEROFF-LINEPRIMARYSIDEREGULATIONCONTROLLER

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UM1108

25to30WattDC-DCConverters

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

详细参数

  • 型号:

    TCLT1108

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 130-260%

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

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更多TCLT1108供应商 更新时间2025-7-16 15:01:00