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UR1104B	文件：269.87 Kbytes Page：18 Pages	SingleColorUltraHighBrightnessType Productfeatures ●OuterDimension3.5x2.8x1.9mm(LxWxH) ●Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～110℃ OperatingTemperature:-40℃～100℃ ●Lead–freesolderingcompatible ●RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
USC1104	文件：59.25 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIER,upto400V,2.1A,50ns	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
UTG1104P	文件：2.97035 Mbytes Page：101 Pages	widerangeincurrentcapability	FCI-CONNECTOR FCI connector	FCI-CONNECTOR
UTG1104P	文件：164.46 Kbytes Page：4 Pages	UTG-MetalokBantam Description “UTG”MetalokBantamplasticindustrial circularconnectorswithmetalcouplingare arangeofmultiwayconnectorstoprovide thecompleteanswertotheneedfor leightweight,robustcircularconnectors. Theyareavailablein8shellsizes,11insert arrangementsallintermateab	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
UTG1104S	文件：164.46 Kbytes Page：4 Pages	UTG-MetalokBantam Description “UTG”MetalokBantamplasticindustrial circularconnectorswithmetalcouplingare arangeofmultiwayconnectorstoprovide thecompleteanswertotheneedfor leightweight,robustcircularconnectors. Theyareavailablein8shellsizes,11insert arrangementsallintermateab	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
UY1104B	文件：269.87 Kbytes Page：18 Pages	SingleColorUltraHighBrightnessType Productfeatures ●OuterDimension3.5x2.8x1.9mm(LxWxH) ●Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～110℃ OperatingTemperature:-40℃～100℃ ●Lead–freesolderingcompatible ●RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
VBA1104N	文件：627.2 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1104N	文件：584.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1104N	文件：598.34 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1104N	文件：614.13 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
TCLT1104
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 SOP-6L5 CPLR 160-320% CTR 10MA
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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