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TCH10A10-11A中文资料分立式半导体 肖特基势垒二极管（SBD）数据手册Kyocera规格书
TCH10A10-11A规格书详情
描述 Description
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making them suitable for switching operation. However, the reverse current (IR) is larger than that of conventional PN diodes.
特性 Features
・Ultra low forward voltage drop
・High frequency operation
・Epoxy Resin (UL94V-0 recognized)
应用 Application
电源供应
工业设备
技术参数
- 制造商编号
：TCH10A10-11A
- 生产厂家
：Kyocera
- VRRM [V]
：100V
- Io [A]
：10.0A
- IFSM [A]
：120.0A
- IR [mA]
：1.000mA
- VFM [V]
：0.85V
- @IFM [A]
：5.0A
- 工作温度范围
：-40℃ ~ 150℃
- Rth(j-c) [°C/W]
：3.00°C/W
- Connection type
：B
- 包装形式
：Tube
- 每包数量
：50
- 质量
：1.450g
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