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UES1102

2.5AHIGH-EFFICIENCYRECTIFIERS

DIGITRON

Digitron Semiconductors

UES1102

HighEfficiency,2.5A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

UL1102N

PARAMETRYDOPUSZCZALNE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

UM1102

25to30WattDC-DCConverters

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

V-1102-SMD-A

ASS1004HS

ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS

ASSMANN WSW组件有限公司

V-1102-SMD-A-L

ASS1004HS

ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS

ASSMANN WSW组件有限公司

VB1102M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VB1102M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •Materialcategorization: APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitch •LEDBacklightinginLCDTVs

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBA1102M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •HighFrequencyBoostConverter •LEDBacklightforLCDTV

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBA1102N

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •IsolatedDC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBFB1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBQA1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    TCET1102G

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 63-125%

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY(威世)
23+
DIP-4
84152
正规渠道,大量现货,只等你来。
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Vishay Semiconductor Opto Divi
24+
4-DIP(0.400,10.16mm)
25000
in stock隔离器IC-原装正品
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VISHAY/威世
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DIP-4
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DIP
6200
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CAL-CHIP
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原厂封装
10000
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2016+
DIP4
3900
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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VISHAY
2020+
DIP-4
10063
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多TCET1102G供应商 更新时间2024-5-28 15:00:00