TCDT1102G数据手册Vishay中文资料规格书
技术参数
- 型号：
TCDT1102G
- 功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 100-200%
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 输入类型：
DC
- 最大集电极/发射极电压：
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
- 绝缘电压：
5300 Vrms
- 电流传递比：
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压：
1.65 V
- 最大输入二极管电流：
60 mA
- 最大集电极电流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 110 C
- 最小工作温度：
- 55 C
- 封装/箱体：
DIP-4
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
6150 |
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VISHAY/威世 |
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DIP6 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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VISHAY |
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VISHAY |
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VISHAY |
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DIP-6 |
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VISHAY/威世 |
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