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TCDT1122G

TCDT1122G

TE/泰科/

275591

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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TCDT1124G

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70000

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柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市坤融电子科技有限公司

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TELEFUNKENDIP-6

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原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市正纳电子有限公司

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SHARPDIP6

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ROHS全新原装

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深圳市索歌特科技有限公司

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VISHAY

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TEMICDIP

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TCDT1102G

VISHAY/威世DIP6

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VISHAY/威世全新特价TCDT1102G即刻询购立享优惠#长期有货

深圳市高捷芯城科技有限公司

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VISHAY(威世)DIP-6

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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VISHAYDIP6

12000

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原装正品 假一罚十 可拆样

深圳市凌旭科技有限公司

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VISHAYDIP6

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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市华睿芯科技有限公司

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VISHAYDIP6

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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TFKDIP

9850

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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世DIP6

6540

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深圳市华斯顿科技有限公司

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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货

深圳市亿联芯电子科技有限公司

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VISDIP6

4959

2023+

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原厂全新正品旗舰店优势现货

深圳市胜彬电子有限公司

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TEMICDIP6

3000

22+

1+
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深圳市恒达亿科技有限公司

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TFKDIP

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TCDT1101

TE/泰科/

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TCDT1101G

TCDT1101G

TE/泰科/

415341

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TCDT1102G价格:¥0.7134品牌:Vishay

生产厂家品牌为Vishay的TCDT1102G多少钱,想知道TCDT1102G价格是多少?参考价:¥0.7134。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,TCDT1102G批发价格及采购报价,TCDT1102G销售排行榜及行情走势,TCDT1102G报价。

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TCDT1100功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

TCDT1100_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Phototransistor Output

TCDT1100G功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

TCDT1101功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

TCDT1101G功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

TCDT1102功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

TCDT1102G功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

TCDT1103功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

TCDT1103G功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

TCDT1110功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk