| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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TE/泰科/ |
275591 |
2508+ |
一级代理,原装现货 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
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TELEFUNKENDIP-6 |
2500 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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13年
留言
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SHARPDIP6 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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8年
留言
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VISHAYQR |
9800 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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13年
留言
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VISHAY |
6000 |
26+ |
华南区总代 |
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12年
留言
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TEMICDIP |
600 |
00+ |
只售原装正品 |
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15年
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VISHAY/威世DIP6 |
32360 |
25+ |
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VISHAY/威世全新特价TCDT1102G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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6年
留言
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VISHAY(威世)DIP-6 |
14534 |
25+ |
正规渠道,大量现货,只等你来。 |
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4年
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VISHAYDIP6 |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
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13年
留言
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VISHAYDIP6 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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8年
留言
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VISHAYDIP6 |
20000 |
24+ |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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12年
留言
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TFKDIP |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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11年
留言
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VISHAY/威世DIP6 |
6540 |
2450+ |
原装现货或订发货1-2周 |
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15年
留言
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47169 |
25+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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15年
留言
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VISDIP6 |
4959 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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13年
留言
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TEMICDIP6 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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13年
留言
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TFKDIP |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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12年
留言
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TE/泰科/ |
129991 |
2508+ |
一级代理,原装现货 |
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12年
留言
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TE/泰科/ |
415341 |
2508+ |
一级代理,原装现货 |
TCDT1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
TCDT1图片
TCDT1102G价格
TCDT1102G价格:¥0.7134品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的TCDT1102G多少钱,想知道TCDT1102G价格是多少?参考价:¥0.7134。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,TCDT1102G批发价格及采购报价,TCDT1102G销售排行榜及行情走势,TCDT1102G报价。
TCDT1101G中文资料Alldatasheet PDF
更多TCDT1100功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TCDT1100_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Phototransistor Output
TCDT1100G功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TCDT1101功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TCDT1101G功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TCDT1102功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TCDT1102G功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TCDT1103功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TCDT1103G功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TCDT1110功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk


































