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VBE1201K

N-Channel200V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1201K

N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1201M

N-Channel200V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    TCD1201D

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Image Sensor CCD 2048Pixels 22-Pin CDIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
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CDIP
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更多TCD1201D供应商 更新时间2025-7-29 8:01:00