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BC337	文件：47.16 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplement:BC327. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.driverandoutputstagesofaudioamplifiers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC337	文件：150.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistors(HighcurrentgainHighcollectorcurrentLowcollector-emittersaturationvoltage) ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC327,BC328(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC337	文件：367.75 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC337	文件：343.7 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC337	文件：105.98 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC337	文件：70.03 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSILICON	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337	文件：167.68 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BC33750V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC337	文件：38.82 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage VCBO:BC33750V BC33830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BC337	文件：117.48 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC337	文件：31.75 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC337	文件：245.5 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistors. Features ■Highcurrent ■Lowvoltage Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC337	文件：215.03 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedfordriverandoutputstageofaudioamplifiers.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BC337	文件：273.99 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent:IC=800mA. •DCCurrentGain:hFE=100~400(VCE=1V,Ic=100mA). •ForComplementarywithPNPtypeBC327.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC337	文件：140.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONAFMEDIUMPOWERTRANSISTOR THEBC337,BC338ARENPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFDRIVERANDOUTPUTSTAGES,ASWELLASFORUNIVERSALAPPLICATIONS.THEBC337,BC338ARECOMPLEMENTARYTOTHEPNPTYPEBC327,BC328RESPECTIVELY.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC337	文件：140.47 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC337	文件：163.58 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistor TheLM337isanadjustable3–terminalnegativevoltageregulatorcapableofsupplyinginexcessof1.5Aoveranoutputvoltagerangeof–1.2Vto–37V.Thisvoltageregulatorisexceptionallyeasytouseandrequiresonlytwoexternalresistorstosettheoutputvoltage.Further,itemploysi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BC337	文件：343.11 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications??? NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BC337	文件：27.62 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC327/BC328	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC337	文件：224.06 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandamplifierapplications.Especially suitableforAF-driverstagesandlowpower outputstages. ♦Thesetypesarealsoavailablesubdi videdintothreegroups-16,-25,and-40, accordingtotheirDCcurrent	GE GE Industrial Company	GE
BC337	文件：256.769 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON

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产品属性

产品编号：
TCAN337DR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 驱动器，接收器，收发器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
收发器
协议：
CANbus
驱动器/接收器数：
1/1
数据速率：
1Mbps
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC TRANSCEIVER 1/1 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	TCAN337DR	Texas Instruments	24+	8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)	25000	in stock接口IC-原装正品	询价
深圳市正纳电子有限公司	TCAN337DR	TI(德州仪器)	23+	原厂封装	32078	10年以上分销商,原装进口件,服务型企业	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	TCAN337DR	TI(德州仪器)	22+	N/A	12000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市勤思达科技有限公司	TCAN337DR	TI	21+	SOP-8	12000	全新原装正品长期现货供应	询价
深圳市胜彬电子有限公司	TCAN337DR	TI/德州仪器	2216+	SOP8	8000	原装正品假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	TCAN337DR	TI	22+	SOP8	65568	代理授权直销,原装现货,长期稳定供应	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	TCAN337DR	TI/德州仪器	22+	SOIC	6607	原装正品	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	TCAN337DR	TI	22+	SOP8	3000	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	TCAN337DR	TI(德州仪器)	23+	SOP8	8786	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	TCAN337DR	TI(德州仪器)	23+	SOP8	13054	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价

更多TCAN337DR供应商更新时间2024-5-16 23:38:00

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