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KK74HC367A	文件：221.33 Kbytes Page：6 Pages	Hex3-StateNoninvertingBufferwithSeparate2-Bitand4-BitSections	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
M74HC367	文件：242.53 Kbytes Page：10 Pages	HEXBUSBUFFERWITH3STATEOUTPUTNONINVERTING DESCRIPTION TheM74HC367isanhighspeedCMOSHEXBUSBUFFER3-STATEOUTPUTSfabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=9ns(TYP.)atVCC=6V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=4µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHNOISEIMMUNITY:VNIH=VNIL=28VCC(MIN.) ■SYMMETRICALOUTPUT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M74HC367	文件：249.96 Kbytes Page：11 Pages	HEXBUSBUFFER3-STATEHC367NONINVERTING,HC368INVERTING DESCRIPTION TheM54/74HC367andtheM54/74HC368arehighspeedCMOSHEXBUSBUFFER(3-STATE)fabricatedinsilicongateC2MOStechnology.TheyhavethesamehighspeedperformanceofLSTTLcombinedwithtrueCMOSlowpowerconsumption. ■HIGHSPEEDtPD=11ns(TYP.)ATVCC=5V ■LOWPOWERDI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M74HC367TTR	文件：242.53 Kbytes Page：10 Pages	HEXBUSBUFFERWITH3STATEOUTPUTNONINVERTING DESCRIPTION TheM74HC367isanhighspeedCMOSHEXBUSBUFFER3-STATEOUTPUTSfabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=9ns(TYP.)atVCC=6V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=4µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHNOISEIMMUNITY:VNIH=VNIL=28VCC(MIN.) ■SYMMETRICALOUTPUT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MC74HC367A	文件：155.15 Kbytes Page：6 Pages	Hex3-StateNoninvertingBufferwithSeparate2-Bitand4-BitSections Hex3−StateNoninvertingBufferwithSeparate2−Bitand4−BitSections High−PerformanceSilicon−GateCMOS TheMC74HC367AisidenticalinpinouttotheLS367.ThedeviceinputsarecompatiblewithstandardCMOSoutputs;withpullupresistors,theyarecompatiblewithLSTTLoutputs. Thisdevicei	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC74HC367A	文件：129.759 Kbytes Page：7 Pages	Hex3-StateNoninvertingBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC74HC367AD	文件：155.15 Kbytes Page：6 Pages	Hex3-StateNoninvertingBufferwithSeparate2-Bitand4-BitSections Hex3−StateNoninvertingBufferwithSeparate2−Bitand4−BitSections High−PerformanceSilicon−GateCMOS TheMC74HC367AisidenticalinpinouttotheLS367.ThedeviceinputsarecompatiblewithstandardCMOSoutputs;withpullupresistors,theyarecompatiblewithLSTTLoutputs. Thisdevicei	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC74HC367ADG	文件：129.759 Kbytes Page：7 Pages	Hex3-StateNoninvertingBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC74HC367ADT	文件：155.15 Kbytes Page：6 Pages	Hex3-StateNoninvertingBufferwithSeparate2-Bitand4-BitSections Hex3−StateNoninvertingBufferwithSeparate2−Bitand4−BitSections High−PerformanceSilicon−GateCMOS TheMC74HC367AisidenticalinpinouttotheLS367.ThedeviceinputsarecompatiblewithstandardCMOSoutputs;withpullupresistors,theyarecompatiblewithLSTTLoutputs. Thisdevicei	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC74HC367ADTG	文件：129.759 Kbytes Page：7 Pages	Hex3-StateNoninvertingBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
TC74HC367AP
功能描述：
IC BUS BUFFER TRI-ST HEX 16DIP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
系列：
74HC
标准包装：
1,000
系列：
74ABT
逻辑类型：
寄存收发器，非反相
元件数：
1
每个元件的位元数：
8
输出电流高，低：
32mA，64mA
电源电压：
4.5 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
24-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商设备封装：
24-SOIC
包装：
带卷(TR)

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更多TC74HC367AP供应商更新时间2025-7-21 16:31:00

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