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TC58NYG2S0HBAI4	文件：868 Kbytes Page：2 Pages	SLC NAND & BENAND Reliability and Performance 文件：868 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC58NYG2S0HBAI4	文件：1.89771 Mbytes Page：66 Pages	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 文件：1.89771 Mbytes 页数：66 Pages	KIOXIA 铠侠	KIOXIA
TC58NYG2S0HBAI4	文件：300 bytes Page：1 Pages	SLC NAND Capacity (bit)：4G\nTech. node (nm)：24\nPage size (bit)：(4096+256)×8\nBlock size (bit)：(256K+16K)×8\nI/O (bit)：8\nKeyword：4Gbit SLC NAND, 1.8V, x8, 24nm, FBGA\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available	Toshiba 东芝	Toshiba
TC58NYG2S0HBAI4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4GBIT 63TFBGA	Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.

产品属性

产品编号：
TC58NYG2S0HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
4Gb（512M x 8）
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-VFBGA
供应商器件封装：
63-TFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

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更多TC58NYG2S0HBAI4供应商更新时间2025-10-13 8:01:00

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