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TC58NYG2S0FBAI4	文件：1.03778 Mbytes Page：71 Pages	4 GBIT (512M X 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM DESCRIPTION The TC58NYG2S0F is a single 1.8V 4 Gbit (4,529,848,320 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096  224) bytes  64 pages  2048blocks. The device has two 4320-byte static registers which allow program and read data to be tran 文件：1.03778 Mbytes 页数：71 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多TC58NYG2S0FBAI4供应商更新时间2025-10-9 13:30:00