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TC58NYG0S3HBAI4

NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity)

Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity.

文件:67.28 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

TC58NYG0S3HBAI4

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

文件:868 Kbytes 页数:2 Pages

TOSHIBA

东芝

TC58NYG0S3HBAI4

SLC NAND

Capacity (bit):1G\nTech. node (nm):24\nPage size (bit):(2048+128)×8\nBlock size (bit):(128K+8K)×8\nI/O (bit):8\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available

Toshiba

东芝

TC58NYG0S3HBAI4

SLC NAND

KIOXIA

铠侠

技术参数

  • Access Time (Serial Cycle) (Min):

    25 nsec

  • Operational Temperature:

    -40 to 85 ℃

  • Supply Voltage:

    1.7 to 1.95 V

  • Block Erasing Time (Typ.):

    3.5 msec

  • Program Time (Typ.):

    0.3 msec

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Toshiba
21+
FBGA
1
价格以询价为主,东芝代理官网可查
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TOSHIBA
20+
BGA63
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BGA
60000
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Toshiba
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NA
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更多TC58NYG0S3HBAI4供应商 更新时间2025-11-22 8:00:00