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TC58NVG2S0HBAI4

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

文件:868 Kbytes 页数:2 Pages

TOSHIBA

东芝

TC58NVG2S0HBAI4

Flash Memory

文件:2.51174 Mbytes 页数:20 Pages

TOSHIBA

东芝

TC58NVG2S0HBAI4

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

文件:538.34 Kbytes 页数:66 Pages

KIOXIA

铠侠

TC58NVG2S0HBAI4

SLC NAND

Capacity (bit):4G\nTech. node (nm):24\nPage size (bit):(4096+256)×8\nBlock size (bit):(256K+16K)×8\nI/O (bit):8\nKeyword:4Gbit SLC NAND, 3.3V, x8, 24nm, FBGA\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available

Toshiba

东芝

TC58NVG2S0HBAI4

SLC NAND

KIOXIA

铠侠

TC58NVG2S0HBAI4

Package:63-VFBGA;包装:散装 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    TC58NVG2S0HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-TFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TC58NVG2S0HBAI4供应商 更新时间2025-11-24 15:41:00