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TC58NVG1S3HBAI6	文件：67.28 Kbytes Page：3 Pages	NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity) Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity. 文件：67.28 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC58NVG1S3HBAI6	文件：868 Kbytes Page：2 Pages	SLC NAND & BENAND Reliability and Performance 文件：868 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC58NVG1S3HBAI6	文件：2.51174 Mbytes Page：20 Pages	Flash Memory 文件：2.51174 Mbytes 页数：20 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC58NVG1S3HBAI6	文件：575.13 Kbytes Page：66 Pages	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 文件：575.13 Kbytes 页数：66 Pages	KIOXIA 铠侠	KIOXIA
TC58NVG1S3HBAI6	文件：300 bytes Page：1 Pages	SLC NAND Capacity (bit)：2G\nTech. node (nm)：24\nPage size (bit)：(2048+128)×8\nBlock size (bit)：(128K+8K)×8\nI/O (bit)：8\nKeyword：2Gbit SLC NAND, 3.3V, x8, 24nm, BGA\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available	Toshiba 东芝	Toshiba
TC58NVG1S3HBAI6	文件：300 bytes Page：1 Pages	SLC NAND	KIOXIA 铠侠	KIOXIA
TC58NVG1S3HBAI6	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：67-VFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA	Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.

产品属性

产品编号：
TC58NVG1S3HBAI6
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
2Gb（256M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
67-VFBGA
供应商器件封装：
67-VFBGA（6.5x8）
描述：
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

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